國家知識產權局信息顯示，大慶溢泰半導體材料有限公司取得一項名為“一種用于大直徑銻化鎵晶體生長覆蓋劑除雜裝置”的專利，授權公告號CN 221956234 U，申請日期為2024年2月。

專利摘要顯示，一種用于大直徑銻化鎵晶體生長覆蓋劑除雜裝置，涉及晶體生長除雜技術領域，包括能夠起到提升和旋轉作用的機械臂和石英刮盤，石英刮盤安裝在機械臂的下端，石英刮盤至少包括一塊扇形的石英板，石英板的兩側在厚度方向上均帶有用于收集覆蓋劑雜質的斜面，兩個斜面構成的夾角的頂點位于石英板的上方，石英板的中部帶有用于盛放覆蓋劑雜質的凹槽；在石英板的徑向上，凹槽的底面呈斜面，斜面的高點位于石英板的外緣一側，斜面的低點位于石英板的中心一側；所述的凹槽為扇形結構，凹槽的扇形角等于石英板的扇形角。本實用新型能夠通過石英刮盤的轉動刮走液面薄層難溶浮渣，可保證純度比較高的覆蓋劑投入晶體生長中，從而提高單晶成品率。

(關鍵字：銻化鎵)